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晶体管/场效应管(MOSFET)/SISS23DN-T1-GE3

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  • TME库存:0 个(一圆盘有3000个)
    货期:2-15天发货
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  • SISS23DN-T1-GE3
    在售
    PowerPAK 1212-8S
    SISS23DN-T1-GE3DATASHEET
    L19120914219
    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 VISHAY(威世)
    封装 PowerPAK 1212-8S
    包装 圆盘
    FET类型 P通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 20V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 50A(Tc)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 1.8V,4.5V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 4.5毫欧@20A,4.5V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 900mV@250μA
    Vgs(最大值) ±8V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 8840pF@15V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 4.8W(Ta),57W(Tc)
    工作温度 -50℃~150℃(TJ)
    基本产品编号 SISS23
    产品应用 汽车级
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 300nC@10V
    HTSUS 8541.29.0095
    ECCN EAR99
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    RoHS状态 符合ROHS3规范
    安装类型 表面贴装型
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