h1_key

您当前的位置: 首页 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > IRF640STRRPBF
为方便购买元器件IRF640STRRPBF,请您提前 登录 X

晶体管/场效应管(MOSFET)/IRF640STRRPBF

  • 梯度
  • 参考价格
  • 1000+
  •  ¥ 7.8375
  • 单价:
  • 库存数量:
  • 库存地点:
  • 货期:
  • 订购量:
    - +
    合计:
  •  
  • 我要订货
  • IRF640STRRPBF
    TO-263
    IRF640STRRPBFDATASHEET
    L19120914081
    0.002014kg

    IRF640STRRPBF数据手册下载

    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 VISHAY(威世)
    封装 TO-263
    包装 圆盘
    商品标签 汽车级
    FET类型 N 通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 200 V
    25°C时电流-连续漏极(Id) 18A(Tc)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 180 毫欧 @ 11A,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 70 nC @ 10 V
    Vgs(最大值) ±20V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1300 pF @ 25 V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),130W(Tc)
    工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型 表面贴装型
    基本产品编号 IRF640
    RoHS状态 符合 ROHS3 规范
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    ECCN EAR99
    HTSUS 8541.29.0095
    根据勾选的参数属性查找商品。
    根据勾选的参数属性,为您找到 0 个类似商品 点击查看
    根据勾选的参数属性,没有为您找到类似商品。
    隐藏


    1

    您还可以继续添加对比商品

    2

    您还可以继续添加对比商品

    3

    您还可以继续添加对比商品

    10s
    温馨提示:
    订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
    返回顶部