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晶体管/场效应管(MOSFET)/DMN61D8LQ-13

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  • DMN61D8LQ-13
    在售
    SOT-23-3
    DMN61D8LQ-13DATASHEET
    L19101711591
    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 DIODES(美台)
    封装 SOT-23-3
    包装 圆盘
    FET类型 N通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 60V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 470mA(Ta)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 3V,5V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 1.8欧姆@150mA,5V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V@1mA
    Vgs(最大值) ±12V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 12.9pF@12V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 390mW(Ta)
    工作温度 -55℃~150℃(TJ)
    基本产品编号 DMN61
    产品应用 汽车级
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 0.74nC@5V
    HTSUS 8541.21.0095
    ECCN EAR99
    REACH状态 非REACH产品
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    RoHS状态 符合ROHS3规范
    安装类型 表面贴装型
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    封装:SOT-323(SC-70)
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    产品状态:在售
    封装:SOT-323
    产品状态:在售
    封装:SOT-23-3
    产品状态:在售
    封装:SOT-23-3
    产品状态:停产
    封装:SOT-323
    产品状态:停产
    封装:SOT-23-3
    产品状态:停产
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    产品状态:在售
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