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晶体管/场效应管(MOSFET)/DMN2011UFX-7 编带

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  • DMN2011UFX-7
    在售
    V-DFN2050-4
    DMN2011UFX-7DATASHEET
    L1981308517
    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 DIODES(美台)
    封装 V-DFN2050-4
    包装
    FET类型 2N-通道(双)
    漏源电压(Vdss) 20V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 12.2A(Ta)
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 9.5毫欧@10A,4.5V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 1V@250μA
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2248pF@10V
    FET功能 标准
    工作温度 -55℃~150℃(TJ)
    基本产品编号 DMN2011
    产品应用 汽车级
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 56nC@10V
    功率-最大值 2.1W
    HTSUS 8541.29.0095
    ECCN EAR99
    REACH状态 非REACH产品
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    RoHS状态 符合ROHS3规范
    安装类型 表面贴装型
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    封装:U-DFN2020-6
    产品状态:在售
    封装:8-TSSOP
    产品状态:在售
    封装:U-DFN2020-6(F 类)
    产品状态:在售
    封装:U-DFN2020-6(F 类)
    产品状态:在售
    封装:U-DFN2020-6(E 类)
    产品状态:在售
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