DN3135K1-G |
在售 |
SOT-23(SOT-23-3) |
L1981306146 |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
品牌 | MICROCHIP(美国微芯) | |
封装 | SOT-23(SOT-23-3) | |
包装 | 盘 | |
FET类型 | N通道 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 350V | |
25℃时电流-连续漏极(Id) | 72mA(Tj) | |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 0V | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 35欧姆@150mA,0V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 120pF@25V | |
FET功能 | 耗尽模式 | |
功率耗散(最大值) | 360mW(Ta) | |
工作温度 | -55℃~150℃(TJ) | |
基本产品编号 | DN3135 | |
产品应用 | 汽车级 | |
HTSUS | 8541.21.0095 | |
ECCN | EAR99 | |
REACH状态 | 非REACH产品 | |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) | |
RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | |
安装类型 | 表面贴装型 |