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MJD112T4G数据手册下载 |
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| 商品分类 | 三极管(BJT) | |
| 品牌 | ON(安森美) | |
| 封装 | DPAK | |
| 包装 | 圆盘 | |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 | |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2 A | |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100 V | |
| 不同Ib、Ic时Vce饱和压降（最大值） | 3V @ 40mA，4A | |
| 电流-集电极截止（最大值） | 20μA | |
| 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)（最小值） | 1000 @ 2A，3V | |
| 功率-最大值 | 20 W | |
| 频率-跃迁 | 25MHz | |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） | |
| 安装类型 | 表面贴装型 | |
| 基本产品编号 | MJD112 | |
| RoHS状态 | 符合 ROHS3 规范 | |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 1（无限） | |
| REACH状态 | 非 REACH 产品 | |
| ECCN | EAR99 | |
| HTSUS | 8541.29.0095 | |
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