h1_key

您当前的位置: 首页 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > IPD135N03LGATMA1 编带
为方便购买元器件IPD135N03LGATMA1,请您提前  登录

晶体管/场效应管(MOSFET)/IPD135N03LGATMA1 编带

库存类型&价格:
领券
500-25
自营库存:0 个(一圆盘有2500个)
货期:1-3天发货
商品重量:0.00048100kg
  • 购买数量:
    - +
    合计:
  • 国内库存:1950 个(一圆盘有2500个)
    货期:3-5天发货
    商品重量:0.00048100kg
  • 订货数量:
    - +
    合计:
  • 海外库存:5464 个(一圆盘有2500个)
    货期:7-15天发货
    商品重量:0.00048100kg
  • 订货数量:
    - +
    合计:
    活动已优惠:
  • E络盟库存:5493 个(一圆盘有2500个)
    货期:2-15天发货
    商品重量:0.00048100kg
  • 订货数量:
    - +
    合计:
    活动已优惠:
  • TME库存:888 个(一圆盘有2500个)
    货期:2-15天发货
    商品重量:0.00048100kg
  • 订货数量:
    - +
    合计:
    活动已优惠:
  • IPD135N03LGATMA1
    在售
    TO-252-2(DPAK)
    IPD135N03LGATMA1DATASHEET
    L1931820197
    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 Infineon(英飞凌)
    封装 TO-252-2(DPAK)
    包装 圆盘
    FET类型 N通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 30V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 30A(Tc)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 13.5毫欧@30A,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V@250μA
    Vgs(最大值) ±20V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1000pF@15V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 31W(Tc)
    工作温度 -55℃~175℃(TJ)
    基本产品编号 IPD135
    产品应用 汽车级
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 10nC@10V
    HTSUS 8541.29.0095
    ECCN EAR99
    REACH状态 非REACH产品
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    RoHS状态 符合ROHS3规范
    安装类型 表面贴装型
    根据勾选的参数属性查找商品。
    根据勾选的参数属性,为您找到 0 个类似商品 点击查看
    根据勾选的参数属性,没有为您找到类似商品。
    封装:PG-TO252-3
    产品状态:在售
    英飞凌接口和时钟芯片选型手册-EN
    品牌:英飞凌 2023-06-14 527次 13次
    英飞凌RAM选型手册-EN
    品牌:英飞凌 2023-06-14 359次 11次
    英飞凌PSRAM选型手册-EN
    品牌:英飞凌 2023-06-14 359次 9次
    英飞凌MCU微控制器选型手册-EN
    品牌:英飞凌 2023-06-14 381次 20次
    英飞凌Flash选型手册-EN
    品牌:英飞凌 2023-06-14 407次 9次
    英飞凌 600V和650V硅功率二极管 选型手册
    品牌:英飞凌 2022-10-26 696次 35次
    英飞凌 TRENCHSTOP™ 5 选型手册
    品牌:英飞凌 2022-10-26 400次 16次
    隐藏


    1

    您还可以继续添加对比商品

    2

    您还可以继续添加对比商品

    3

    您还可以继续添加对比商品

    10s
    温馨提示:
    订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
    返回顶部