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晶体管/场效应管(MOSFET)/FQP20N06L

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  • FQP20N06L
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    TO-220
    FQP20N06LDATASHEET
    L1931814574
    0.002720kg

    FQP20N06L数据手册下载

    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 ON(安森美)
    封装 TO-220
    包装
    FET类型 N通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 60V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 21A(Tc)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 5V,10V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 55毫欧@10.5A,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.5V@250μA
    Vgs(最大值) ±20V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 630pF@25V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 53W(Tc)
    工作温度 -55℃~175℃(TJ)
    基本产品编号 FQP20
    产品应用 汽车级
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 13nC@5V
    HTSUS 8541.29.0095
    ECCN EAR99
    湿气敏感性等级(MSL) 不适用
    RoHS状态 符合ROHS3规范
    安装类型 通孔
    REACH状态 非REACH产品
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    FQP20N06

    品牌:ON(安森美)

    封装:TO-220-3

    库存:28

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