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晶体管/场效应管(MOSFET)/FQD13N10TM

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  • FQD13N10TM
    D-PAK
    FQD13N10TMDATASHEET
    L1931814566
    0.000478kg

    FQD13N10TM数据手册下载

    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 ON(安森美)
    封装 D-PAK
    包装 圆盘
    商品标签 汽车级
    FET类型 N 通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 100 V
    25°C时电流-连续漏极(Id) 10A(Tc)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 180 毫欧 @ 5A,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 16 nC @ 10 V
    Vgs(最大值) ±25V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 450 pF @ 25 V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),40W(Tc)
    工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型 表面贴装型
    基本产品编号 FQD13N10
    RoHS状态 符合 ROHS3 规范
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    REACH状态 非 REACH 产品
    ECCN EAR99
    HTSUS 8541.29.0095
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