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晶体管/场效应管(MOSFET)/TPHR9003NL,L1Q 编带

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    商品重量:0.00016800kg
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    货期:7-15天发货
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  • TPHR9003NL,L1Q
    在售
    SOP-Advance-8
    TPHR9003NL,L1QDATASHEET
    L1931806114
    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 TOSHIBA(东芝)
    封装 SOP-Advance-8
    包装 圆盘
    FET类型 N通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 30V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 60A(Tc)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 0.9毫欧@30A,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.3V@1mA
    Vgs(最大值) ±20V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 6900pF@15V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 1.6W(Ta),78W(Tc)
    工作温度 150℃(TJ)
    基本产品编号 TPHR9003
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 74nC@10V
    HTSUS 8541.29.0095
    ECCN EAR99
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    RoHS状态 符合RoHS规范
    安装类型 表面贴装型
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