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晶体管/场效应管(MOSFET)/IPN80R900P7ATMA1 编带

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  • IPN80R900P7ATMA1
    PG-SOT223
    IPN80R900P7ATMA1DATASHEET
    L20186934306
    0.000100kg

    IPN80R900P7ATMA1数据手册下载

    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 Infineon(英飞凌)
    封装 PG-SOT223
    包装
    商品标签 汽车级
    FET类型 N 通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 800 V
    25°C时电流-连续漏极(Id) 6A(Tc)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 900 毫欧 @ 2.2A,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 110μA
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 15 nC @ 10 V
    Vgs(最大值) ±20V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 350 pF @ 500 V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 7W(Tc)
    工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型 表面贴装型
    基本产品编号 IPN80R900
    RoHS状态 符合 ROHS3 规范
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    REACH状态 非 REACH 产品
    ECCN EAR99
    HTSUS 8541.29.0095
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