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晶体管/场效应管(MOSFET)/IPN60R3K4CEATMA1 编带

  • 梯度
  • 参考价格
  • 1~9个
  •  ¥ 5.892
  • 10~99个
  •  ¥ 4.8576
  • 100~499个
  •  ¥ 3.4686
  • 500~999个
  •  ¥ 2.6013
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  • IPN60R3K4CEATMA1
    PG-SOT223
    IPN60R3K4CEATMA1DATASHEET
    L20186934267
    0.000100kg

    IPN60R3K4CEATMA1数据手册下载

    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 Infineon(英飞凌)
    封装 PG-SOT223
    包装
    商品标签 汽车级
    FET类型 N 通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 600 V
    25°C时电流-连续漏极(Id) 2.6A(Tc)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.4 欧姆 @ 500mA,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 40μA
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 4.6 nC @ 10 V
    Vgs(最大值) ±20V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 93 pF @ 100 V
    FET功能 超级结
    功率耗散(最大值) 5W(Tc)
    工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型 表面贴装型
    基本产品编号 IPN60R3
    RoHS状态 符合 ROHS3 规范
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    REACH状态 非 REACH 产品
    ECCN EAR99
    HTSUS 8541.29.0095
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