IRF9953TRPBF |
停产 |
SO-8_3.9mm |
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L20186934248 |
0.000100kg |
IRF9953TRPBF数据手册下载 |
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商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
品牌 | Infineon(英飞凌) | |
封装 | SO-8_3.9mm | |
包装 | 盘 | |
FET类型 | 2个P沟道(双) | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
25°C时电流-连续漏极(Id) | 2.3A | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 250毫欧@1A,10V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 1V@250μA | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 190pF@15V | |
FET功能 | 标准 | |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
基本产品编号 | IRF9953 | |
RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) | |
REACH状态 | 非REACH产品 | |
ECCN | EAR99 | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
产品应用 | 汽车级 | |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 12nC@10V | |
功率-最大值 | 2W |