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晶体管/场效应管(MOSFET)/IRF9953TRPBF 编带

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  • IRF9953TRPBF
    停产
    SO-8_3.9mm
    IRF9953TRPBFDATASHEET
    L20186934248
    0.000100kg

    IRF9953TRPBF数据手册下载

    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 Infineon(英飞凌)
    封装 SO-8_3.9mm
    包装
    FET类型 2个P沟道(双)
    漏源电压(Vdss) 30V
    25°C时电流-连续漏极(Id) 2.3A
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 250毫欧@1A,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 1V@250μA
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 190pF@15V
    FET功能 标准
    工作温度 -55°C~150°C(TJ)
    安装类型 表面贴装型
    基本产品编号 IRF9953
    RoHS状态 符合ROHS3规范
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    REACH状态 非REACH产品
    ECCN EAR99
    HTSUS 8541.29.0095
    产品应用 汽车级
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 12nC@10V
    功率-最大值 2W
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