商品类目 | 场效应管(MOSFET) | |
品牌 | DIODES(美台) | |
封装规格 | SOIC-8 | |
包装 | 盘 | |
FET类型 | 2N-通道(双) | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
25℃时电流-连续漏极(Id) | 3.8A | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 50毫欧@3.6A,10V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 1V@250μA(最小) | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1063pF@30V | |
FET功能 | 逻辑电平门 | |
工作温度 | -55℃~150℃(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
基本产品编号 | ZXMN6A25 | |
RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) | |
REACH状态 | 非REACH产品 | |
ECCN | EAR99 | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
产品应用 | 汽车级 | |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 20.4nC@10V | |
功率-最大值 | 1.8W |