| 商品分类 | 碳化硅MOS | |
| 品牌 | ROHM(罗姆) | |
| 封装 | TO-247-3 | |
| 包装 | 管 | |
| FET类型 | N通道 | |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） | |
| 漏源电压（Vdss） | 1200V | |
| 25℃时电流-连续漏极(Id) | 17A（Tc） | |
| 驱动电压（最大RdsOn,最小RdsOn） | 18V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值） | 208毫欧@5A,18V | |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） | 5.6V@2.5mA | |
| Vgs（最大值） | +22V,-4V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值） | 398pF@800V | |
| FET功能 | - | |
| 功率耗散（最大值） | 103W（Tc） | |
| 工作温度 | 175℃（TJ） | |
| 基本产品编号 | SCT3160 | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值） | 42nC@18V | |
| HTSUS | 8541.29.0095 | |
| ECCN | EAR99 | |
| REACH状态 | 非REACH产品 | |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 1（无限） | |
| RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | |
| 安装类型 | 通孔 |
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封装：TO-263-7
产品状态：在售
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