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晶体管/场效应管(MOSFET)/TN2106K1-G 编带

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  • TN2106K1-G
    在售
    TO-236AB
    TN2106K1-GDATASHEET
    L201712256904
    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 MICROCHIP(美国微芯)
    封装 TO-236AB
    包装
    FET类型 N通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 60V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 280mA(Tj)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 2.5欧姆@500mA,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V@1mA
    Vgs(最大值) ±20V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 50pF@25V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 360mW(Tc)
    工作温度 -55℃~150℃(TJ)
    基本产品编号 TN2106
    产品应用 汽车级
    HTSUS 8541.21.0095
    ECCN EAR99
    REACH状态 非REACH产品
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    RoHS状态 符合ROHS3规范
    安装类型 表面贴装型
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    封装:TO-92-3
    产品状态:在售
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