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晶体管/场效应管(MOSFET)/SSM3J132TU,LF 编带
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SSM3J132TU,LF数据手册下载

商品分类 场效应管(MOSFET)
品牌 TOSHIBA(东芝)
封装 SMD-3
包装
FET类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 12 V
25°C时电流-连续漏极(Id) 5.4A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 1.2V,4.5V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 17 毫欧 @ 5A,4.5V
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 33 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±6V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2700 pF @ 10 V
FET功能 -
功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
工作温度 150°C
安装类型 表面贴装型
基本产品编号 SSM3J132
RoHS状态 符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095
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