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SSM3J132TU,LF数据手册下载 |
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| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) | |
| 封装 | SMD-3 | |
| 包装 | 盘 | |
| FET类型 | P 通道 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源电压（Vdss） | 12 V | |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 5.4A（Ta） | |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 1.2V，4.5V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值） | 17 毫欧 @ 5A，4.5V | |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值） | 33 nC @ 4.5 V | |
| Vgs（最大值） | ±6V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值） | 2700 pF @ 10 V | |
| FET功能 | - | |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） | |
| 工作温度 | 150°C | |
| 安装类型 | 表面贴装型 | |
| 基本产品编号 | SSM3J132 | |
| RoHS状态 | 符合 RoHS 规范 | |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 1（无限） | |
| ECCN | EAR99 | |
| HTSUS | 8541.21.0095 | |
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