| SI7288DP-T1-GE3 |
| 在售 |
| DFN5060 |
 DATASHEET
|
| L103211096 |
| 商品类目 | 场效应管(MOSFET) | |
| 品牌 | VISHAY(威世) | |
| 封装规格 | DFN5060 | |
| 包装 | 圆盘 | |
| FET类型 | 2N-通道（双） | |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | |
| 25℃时电流-连续漏极(Id) | 20A | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值） | 19毫欧@10A,10V | |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） | 2.8V@250μA | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值） | 565pF@20V | |
| FET功能 | 标准 | |
| 工作温度 | -55℃~150℃（TJ） | |
| 安装类型 | 表面贴装型 | |
| 基本产品编号 | SI7288 | |
| RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 1（无限） | |
| ECCN | EAR99 | |
| HTSUS | 8541.29.0095 | |
| 产品应用 | 汽车级 | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值） | 15nC@10V | |
| 功率-最大值 | 15.6W |
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