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晶体管/场效应管(MOSFET)/SI4931DY-T1-E3 编带

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  • SI4931DY-T1-E3
    在售
    SOIC-8_150mil
    SI4931DY-T1-E3DATASHEET
    L201712256531
    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 VISHAY(威世)
    封装 SOIC-8_150mil
    包装
    FET类型 2个P沟道(双)
    漏源电压(Vdss) 12V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 6.7A
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 18毫欧@8.9A,4.5V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 1V@350μA
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) -
    FET功能 逻辑电平门
    工作温度 -55℃~150℃(TJ)
    基本产品编号 SI4931
    产品应用 汽车级
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 52nC@4.5V
    功率-最大值 1.1W
    HTSUS 8541.29.0095
    ECCN EAR99
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    RoHS状态 符合ROHS3规范
    安装类型 表面贴装型
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    封装:SOIC-8_150mil
    产品状态:在售
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