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晶体管/场效应管(MOSFET)/IPD038N06N3GATMA1

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  • IPD038N06N3GATMA1
    在售
    PG-TO252-3
    IPD038N06N3GATMA1DATASHEET
    L20175127
    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 Infineon(英飞凌)
    封装 PG-TO252-3
    包装
    FET类型 N通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 60V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 90A(Tc)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.8毫欧@90A,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V@90μA
    Vgs(最大值) ±20V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 8000pF@30V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 188W(Tc)
    工作温度 -55℃~175℃(TJ)
    基本产品编号 IPD038
    产品应用 汽车级
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 98nC@10V
    HTSUS 8541.29.0095
    ECCN EAR99
    REACH状态 非REACH产品
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    RoHS状态 符合ROHS3规范
    安装类型 表面贴装型
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    封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
    产品状态:在售
    英飞凌接口和时钟芯片选型手册-EN
    品牌:英飞凌 2023-06-14 462次 13次
    英飞凌RAM选型手册-EN
    品牌:英飞凌 2023-06-14 306次 11次
    英飞凌PSRAM选型手册-EN
    品牌:英飞凌 2023-06-14 316次 9次
    英飞凌MCU微控制器选型手册-EN
    品牌:英飞凌 2023-06-14 333次 20次
    英飞凌Flash选型手册-EN
    品牌:英飞凌 2023-06-14 351次 9次
    英飞凌 600V和650V硅功率二极管 选型手册
    品牌:英飞凌 2022-10-26 580次 35次
    英飞凌 TRENCHSTOP™ 5 选型手册
    品牌:英飞凌 2022-10-26 345次 16次
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