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晶体管/场效应管(MOSFET)/SI1012R-T1-GE3 编带

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  • E络盟库存:25617 个(一盘有3000个)
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  • TME库存:2055 个(一盘有3000个)
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  • SI1012R-T1-GE3
    在售
    SC-75(SOT-523)
    SI1012R-T1-GE3DATASHEET
    L20171193
    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 VISHAY(威世)
    封装 SC-75(SOT-523)
    包装
    FET类型 N通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 20V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 500mA(Ta)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 1.8V,4.5V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 700毫欧@600mA,4.5V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 900mV@250μA
    Vgs(最大值) ±6V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 150mW(Ta)
    工作温度 -55℃~150℃(TJ)
    基本产品编号 SI1012
    产品应用 汽车级
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 0.75nC@4.5V
    HTSUS 8541.21.0095
    ECCN EAR99
    REACH状态 非REACH产品
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    RoHS状态 符合ROHS3规范
    安装类型 表面贴装型
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    封装:SC-75A
    产品状态:在售
    封装:SC-89
    产品状态:在售
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