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晶体管/场效应管(MOSFET)/FQPF8N60C 管装

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  • FQPF8N60C
    停产
    TO-220F(TO-220IS)
    FQPF8N60CDATASHEET
    B1000896
    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 ON(安森美)
    封装 TO-220F(TO-220IS)
    包装
    FET类型 N通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 600V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 7.5A(Tc)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 1.2Ω@3.75A,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V@250UA
    Vgs(最大值) ±30V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1255pF@25V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 48W(Tc)
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 36nC@10V
    供应商器件封装 TO-220F-3
    封装/外壳 TO-220-3整包
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