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晶体管/场效应管(MOSFET)/IRF620PBF 管装

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  • RS库存:219 件(一管有50件)
    货期:2-15天发货
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  • (一管有50件)
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  • TME库存:1589 件(一管有50件)
    货期:2-15天发货
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  • CORESTAFF库存:1000 件(一管有50件)
    货期:7-10天发货
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  • IRF620PBF
    在售
    TO-220(TO-220-3)
    IRF620PBFDATASHEET
    B1061749
    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 VISHAY(威世)
    封装 TO-220(TO-220-3)
    包装
    FET类型 N通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 200V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 5.2A(Tc)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 800mΩ@3.1A,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V@250UA
    Vgs(最大值) ±20V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 260pF@25V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 50W(Tc)
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 14nC@10V
    供应商器件封装 TO-220AB
    封装/外壳 TO-220-3
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