| 商品类目 | 场效应管(MOSFET) | |
| 品牌 | Comchip(典琦) | |
| 封装规格 | SOT-23 | |
| 包装 | 整包装 | |
| FET类型 | P通道 | |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 25℃时电流-连续漏极(Id) | 4A(Ta) | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 1.8V,4.5V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 50毫欧@4A,4.5V | |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 1V@250UA | |
| Vgs(最大值) | ±10V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1600pF@10V | |
| FET功能 | - | |
| 功率耗散(最大值) | 1.4W(Ta) | |
| 产品应用 | 汽车级 | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 11nC@4.5V | |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 | |
| 等级 | AEC-Q101 |