| 商品类目 | 场效应管(MOSFET) | |
| 品牌 | Comchip(典琦) | |
| 封装规格 | SOT-323 | |
| 包装 | 卷 | |
| FET类型 | N通道 | |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 25℃时电流-连续漏极(Id) | 115mA(Ta) | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 5V,10V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 5欧姆@500mA,10V | |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.5V@250UA | |
| Vgs(最大值) | ±20V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 50pF@25V | |
| FET功能 | - | |
| 功率耗散(最大值) | 200mW(Ta) | |
| 工作温度 | -55℃~150℃(TJ) | |
| 安装类型 | 表面贴装型 | |
| 基本产品编号 | 2N7002 | |
| RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) | |
| ECCN | EAR99 | |
| HTSUS | 8541.21.0095 |