| 2N7002PV,115 |
| 不适用于新设计 |
| SOT-666 |
| L103665157 |
| 商品类目 | 场效应管(MOSFET) | |
| 品牌 | Nexperia(安世) | |
| 封装规格 | SOT-666 | |
| 包装 | 整包装 | |
| FET类型 | 2N-通道(双) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 25℃时电流-连续漏极(Id) | 350mA | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 1.6欧姆@500mA,10V | |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.4V@250μA | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 50pF@10V | |
| FET功能 | 逻辑电平门 | |
| 工作温度 | 150℃(TJ) | |
| 安装类型 | 表面贴装型 | |
| 基本产品编号 | 2N7002 | |
| RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) | |
| REACH状态 | 非REACH产品 | |
| ECCN | EAR99 | |
| HTSUS | 8541.21.0095 | |
| 产品应用 | 汽车级 | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 0.8nC@4.5V | |
| 功率-最大值 | 330mW | |
| 等级 | AEC-Q101 |