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晶体管/场效应管(MOSFET)/IRFB7437PBF

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    在售
    TO220AB
    ZH2021110100041
    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 Infineon(英飞凌)
    封装 TO220AB
    FET类型 N通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 40V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 195A(Tc)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 2mΩ@100A,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.9V@150UA
    Vgs(最大值) ±20V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 7330pF@25V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 230W(Tc)
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 225nC@10V
    供应商器件封装 TO-220AB
    封装/外壳 TO-220-3
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