IPB036N12N3GATMA1 |
TO-263-7 |
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L205152882 |
0.001640kg |
IPB036N12N3GATMA1数据手册下载 |
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商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
品牌 | Infineon(英飞凌) | |
封装 | TO-263-7 | |
包装 | 圆盘 | |
商品标签 | 汽车级 | |
FET类型 | N 通道 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 120 V | |
25°C时电流-连续漏极(Id) | 180A(Tc) | |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 3.6 毫欧 @ 100A,10V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 4V @ 270μA | |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 211 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 13800 pF @ 60 V | |
FET功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 300W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
基本产品编号 | IPB036 | |
RoHS状态 | 符合 ROHS3 规范 | |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) | |
REACH状态 | 非 REACH 产品 | |
ECCN | EAR99 | |
HTSUS | 8541.29.0095 |