商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
品牌 | Infineon(英飞凌) | |
封装 | SMD | |
包装 | 圆盘 | |
FET类型 | N通道 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
25℃时电流-连续漏极(Id) | 4.2A(Ta),19A(Tc) | |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 62毫欧@5A,10V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 5V@250μA | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 530pF@25V | |
FET功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 2.2W(Ta),42W(Tc) | |
工作温度 | -40℃~150℃(TJ) | |
基本产品编号 | IRF6665 | |
产品应用 | 汽车级 | |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 13nC@10V | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
ECCN | EAR99 | |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) | |
安装类型 | 表面贴装型 |