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晶体管/场效应管(MOSFET)/SI6562CDQ-T1-GE3

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    商品重量:0.00008100kg
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  • SI6562CDQ-T1-GE3
    在售
    TSSOP-8
    SI6562CDQ-T1-GE3DATASHEET
    L205150401
    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 VISHAY(威世)
    封装 TSSOP-8
    包装 圆盘
    FET类型 N和P沟道
    漏源电压(Vdss) 20V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 6.7A,6.1A
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 22毫欧@5.7A,4.5V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 1.5V@250μA
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 850pF@10V
    FET功能 逻辑电平门
    工作温度 -55℃~150℃(TJ)
    基本产品编号 SI6562
    产品应用 汽车级
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 23nC@10V
    功率-最大值 1.6W,1.7W
    HTSUS 8541.29.0095
    ECCN EAR99
    REACH状态 非REACH产品
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    RoHS状态 符合ROHS3规范
    安装类型 表面贴装型
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