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晶体管/场效应管(MOSFET)/IRFBE30SPBF

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  • IRFBE30SPBF
    D2PAK(TO-263AB)
    IRFBE30SPBFDATASHEET
    L205150304
    0.002240kg

    IRFBE30SPBF数据手册下载

    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 VISHAY(威世)
    封装 D2PAK(TO-263AB)
    包装
    商品标签 汽车级
    FET类型 N 通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 800 V
    25°C时电流-连续漏极(Id) 4.1A(Tc)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3 欧姆 @ 2.5A,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 78 nC @ 10 V
    Vgs(最大值) ±20V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1300 pF @ 25 V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 125W(Tc)
    工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型 表面贴装型
    基本产品编号 IRFBE30
    RoHS状态 符合 ROHS3 规范
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    ECCN EAR99
    HTSUS 8541.29.0095
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