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晶体管/场效应管(MOSFET)/STU8N80K5

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  • STU8N80K5
    在售
    TO-251
    STU8N80K5DATASHEET
    L205150278
    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 ST(意法半导体)
    封装 TO-251
    包装
    FET类型 N通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 800V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 6A(Tc)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 950毫欧@3A,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 5V@100μA
    Vgs(最大值) ±30V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 450pF@100V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 110W(Tc)
    工作温度 -55℃~150℃(TJ)
    基本产品编号 STU8N80
    产品应用 汽车级
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 16.5nC@10V
    HTSUS 8541.29.0095
    ECCN EAR99
    REACH状态 非REACH产品
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    RoHS状态 符合ROHS3规范
    安装类型 通孔
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