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晶体管/场效应管(MOSFET)/IRFD220PBF

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  • IRFD220PBF
    在售
    HVM DIP
    IRFD220PBFDATASHEET
    L205150272
    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 VISHAY(威世)
    封装 HVM DIP
    包装
    FET类型 N通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 200V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 800mA(Ta)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 800毫欧@480mA,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V@250μA
    Vgs(最大值) ±20V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 260pF@25V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 1W(Ta)
    工作温度 -55℃~150℃(TJ)
    基本产品编号 IRFD220
    产品应用 汽车级
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 14nC@10V
    HTSUS 8541.29.0095
    ECCN EAR99
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    RoHS状态 符合ROHS3规范
    安装类型 通孔
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