SSM6P39TU,LF数据手册下载 |
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商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
品牌 | TOSHIBA(东芝) | |
封装 | UF6 | |
包装 | 圆盘 | |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
25°C时电流-连续漏极(Id) | 1.5A(Ta) | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 213 毫欧 @ 1A,4V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA | |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 6.4nC @ 4V | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 250pF @ 10V | |
FET功能 | 逻辑电平栅极,1.8V 驱动 | |
工作温度 | 150°C | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
基本产品编号 | SSM6P39 | |
RoHS状态 | 不符合RoHS 规范 | |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) | |
ECCN | EAR99 | |
HTSUS | 8541.21.0095 | |
功率-最大值 | 500mW(Ta) |