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晶体管/场效应管(MOSFET)/SSM6P39TU,LF
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商品分类 场效应管(MOSFET)
品牌 TOSHIBA(东芝)
封装 UF6
包装 圆盘
FET类型 2 个 P 沟道(双)
漏源电压(Vdss) 20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 1.5A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 213 毫欧 @ 1A,4V
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 6.4nC @ 4V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 10V
FET功能 逻辑电平栅极,1.8V 驱动
工作温度 150°C
安装类型 表面贴装型
基本产品编号 SSM6P39
RoHS状态 不符合RoHS 规范
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095
功率-最大值 500mW(Ta)
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