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晶体管/场效应管(MOSFET)/SI4850EY-T1-GE3

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  • RS库存:7290 个(一圆盘有2500个)
    货期:2-15天发货
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  • E络盟库存:5548 个(一圆盘有2500个)
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  • SI4850EY-T1-GE3
    在售
    SO-8
    SI4850EY-T1-GE3DATASHEET
    L205150230
    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 VISHAY(威世)
    封装 SO-8
    包装 圆盘
    FET类型 N通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 60V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 6A(Ta)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 22毫欧@6A,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 3V@250μA
    Vgs(最大值) ±20V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 1.7W(Ta)
    工作温度 -55℃~175℃(TJ)
    基本产品编号 SI4850
    产品应用 汽车级
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 27nC@10V
    HTSUS 8541.29.0095
    ECCN EAR99
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    RoHS状态 符合ROHS3规范
    安装类型 表面贴装型
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    封装:8-SOIC
    产品状态:在售
    封装:8-SO
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